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FICHE TECHNICIEN · Tests composants

Transistor BJT / MOSFET

Contrôler les jonctions BJT et les défauts évidents MOSFET sans valider les performances

TECHNICIENVALIDÉ

À quoi ça sert ?

Effectuer des contrôles statiques prudents sur NPN/PNP et MOSFET canal N/P après identification obligatoire du brochage.

Test BJT
Bornes base collecteur émetteur et contrôles type diode.
Test MOSFET
Bornes gate drain source et diode interne.

Procédure terrain

  1. 1Identifier référence et brochage dans la datasheet ; ne jamais le supposer.
  2. 2Décharger et retirer le composant si le circuit influence les mesures.
  3. 3BJT : tester base-émetteur et base-collecteur dans les deux sens, puis collecteur-émetteur.
  4. 4Comparer les deux jonctions sans imposer une chute universelle.
  5. 5MOSFET : appliquer les précautions ESD et décharger la gate.
  6. 6Tester D-S puis S-D pour repérer diode de body et court-circuit évident.
  7. 7Tester l'isolement G-S et G-D avec les limites du multimètre.
  8. 8Répéter après décharge de gate car sa charge peut changer l'état apparent.

Valeurs attendues

BJT
Jonctions B-E et B-C compatibles avec des diodes selon type NPN/PNP
MOSFET D-S très faible deux sens
Court-circuit probable
Gate
Doit rester isolée selon datasheet ; attention ESD

Limites du multimètre

Il ne valide pas gain, vitesse, courant max, Rds(on) dynamique, commutation ni thermique.

La charge de gate peut allumer momentanément le MOSFET et modifier la lecture.

Diagnostic de panne

Court-circuit entre bornes principales
CAUSES POSSIBLES
  • BJT C-E ou MOSFET D-S endommagé
  • chemin parallèle
CONTRÔLES
  • Tester hors circuit
  • confirmer brochage